吕光泉先生:1965年出生，博士学历，1994年8月至1996年4月，任美国科学基金会尖端电子材料研究中心电子材料副研究员;1996年4月至2007年7月，就职于美国诺发，历任高级工程师、PECVD工艺研发部经理、项目主任兼工艺研发高级经理、ALD技术高级经理;2007年7月至2014年8月，就职于德国爱思强公司美国SSTS部，历任ALD设备研发及工程设计高级主任、工程技术副总裁。2014年9月至今，就职于公司(及前身拓荆有限)，历任技术总监、总经理、董事，现任公司董事长。

姜谦先生:1952年出生，博士学历，1982年1月至1984年6月，任麻省理工学院材料科学工程中心研究员;1984年7月至2003年5月，就职于英特尔公司，历任金属刻蚀工艺工程师、新电介质材料研究员、Cu结合与低k电解质、等离子体研究项目经理，互联研究部门经理、新型稳定性存储器研发项目经理;2003年6月至2005年10月，任美国诺发研发副总裁;2006年4月至2010年3月，任欣欣科技(沈阳)有限公司执行董事。2010年4月至今，就职于公司(及前身拓荆有限)，历任总经理、董事长，现任公司董事。

杨卓先生：1986年出生，经济学硕士，高级经济师。2009年加入国家开发银行深圳市分行，历任评审处副处长、客户五处处长。2023年加入华芯投资管理有限责任公司，任投资三部总经理。

杨柳先生:1979年出生，硕士学历，2004年4月至2009年12月，就职于应用材料公司，任技术工程师;2009年12月至2010年5月，就职于大族激光，任工艺总监;2010年10月至2014年3月，就职于中广核太阳能开发有限公司，历任产业投资项目经理兼科技委办公室主任、投资管理高级经理;2014年3月至2021年3月，就职于国开金融，历任高级经理、总经理助理、资深副经理;2021年4月至今，就职于华芯投资，任资深经理。2021年12月至今，任拓荆科技股份有限公司董事。

齐雷先生:1979年1月出生，毕业于中国人民解放军信息工程大学计算机科学与技术专业，硕士研究生学历。2009年9月至2016年11月，历任中国国投高新产业投资有限公司投资经理、高级投资经理;2016年12月至今，历任国投创业投资管理有限公司投资总监、执行总经理;2018年1月至今，任富创有限/富创精密董事。

GERALD ZHEYAO YIN(尹志尧)先生:1944年出生，曾任英特尔中心技术开发部工艺工程师，泛林半导体研发部资深工程师、研发部资深经理，应用材料等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官。2004年至今，担任中微半导体设备(上海)股份有限公司董事长及总经理。2019年3月起任澜起科技独立董事。

吴汉明先生:1952年6月出生，微电子技术专家，2019年当选中国工程院院士，现任浙江大学微纳电子学院院长，中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长，浙江创芯集成电路有限公司董事长，睿力集成电路有限公司独立董事，比亚迪半导体股份有限公司独立董事，拓荆科技股份有限公司(688072.SH)独立董事，以及北方华创科技集团股份有限公司(002371.SZ)独立董事。吴院士自1999年9月至2001年8月担任美国英特尔公司高级工程师，自2001年8月至2018年10月历任中芯国际集成电路制造有限公司研发部技术总监、副总裁及顾问，自2017年10月至2021年2月担任芯创智创新设计服务中心(宁波)有限公司执行董事。吴院士长期工作在中国集成电路产业并做出突出贡献。吴院士发表著作论文116篇，获授权发明专利67项。吴院士被评为首届“北京学者”，荣获“十佳全国优秀科技工作者”、“全国杰出专业技术人才”等称号。他亦曾任中国半导体技术国际会议(CSTIC)大会主席。吴院士于1987年获中国科学院力学研究所博士学位。

黄宏彬先生:1971年10月出生，硕士学历，1994年开始参加工作，曾任上海万国证券公司稽核总部经理，上海证券交易所市场监察部副总监、公司管理部副总监、发行上市部副总监，金浦产业投资基金管理有限公司董事总经理，京通智汇资产管理有限公司总经理，金圆国际有限公司总经理，本公司董事。现任上海斐君投资管理中心(有限合伙)创始合伙人，天合光能股份有限公司、拓荆科技股份有限公司独立董事等职务。已于2022年1月13日辞去公司董事及董事会审计委员会职务，辞职后其不再担任公司任何职务。

赵国庆先生:1979年10月出生，博士学历，中国注册会计师。2002年8月至2012年6月，就职于南京市江宁地方税务局;2012年6月至2015年5月，任国家税务总局税务干部学院副教授;2015年5月至2019年7月，任中汇江苏税务师事务所有限公司合伙人;2019年7月至今，任上海易宏人力资源服务有限公司业务总监。2020年8月至今，任公司独立董事。